近日，《Scientific Reports》杂志 ( IF = 5.228 ) 刊登了我校数理部涂宏庆老师的学术论文成果，论文题为“Gilbert damping in CoFeB/GaAs(001) film with enhanced in-plane uniaxial magnetic anisotropy”。

由于铁磁薄膜生长在半导体基底上的磁各向异性在自旋电子器件领域有非常重要的应用前景，此方向的研究一直倍受关注，其中新型的非晶CoFeB材料可以有效减少畴壁钉扎中心的数量，从而大大提高磁化反转的速度，在高性能的磁随机存储器有着重要大应用潜力，此外，虽然非晶态的CoFeB属于软磁材料，但却能产生较强的面内和面外磁各向异性，使得CoFeB材料在Spin Pumping effect, (inverse) Spin Hall effect, Spin Seebeck effect和Nernst effect方面的应用正在被火热地研究中。

涂宏庆老师在超薄的非晶CoFeB(3.5 nm)/GaAs(001)结构中，首次获得了200%增强的面内单轴磁各向异性场 (~300 Oe)，由于Gilbert阻尼密切关联着磁化反转的特性，因此，精巧准确地研究CoFeB薄膜的阻尼因子是很有意义的工作,文中分别采用了铁磁共振和时间分辨的磁光克尔效应设备研究了薄膜的磁共振和磁进动曲线，并通过理论计算对实验数据进行了有效的拟合，精确地研究了该体系的磁各向异性和阻尼因子，该成果对非晶体系磁各向异性物理机制的研究和非晶CoFeB薄膜在自旋电学领域的应用都有着重要贡献。

(原文链接https://www.nature.com/articles/srep43971)

涂宏庆老师在实验室